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TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS? RAIL- TO- RAIL
超低功耗运算放大器
SLOS185C - 1997年2月 - 修订版 - 2001年3月
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
非常低的功耗。 。 。 34
μA
每通道典型值
共模输入电压范围
包括负轨
D
D
D
D
低输入偏移电压
850
μV
马克斯在T
A
= 25°C
宽电源电压范围
2.7 V至8 V
包括宏
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
高电平输出电压
vs
高电平输出电流
3
VDD = 3V
描述
该TLV2252和TLV2254是双和
从四联低电压运算放大器
德州仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
只有34 TLV225x家庭消费
μA
供应
目前每通道。该微操作
使他们很好的选择对于电池供电
应用程序。该系列产品的特点完全在
3 V和5 V ,并针对低电压优化
应用程序。噪声性能已
比上一代显着提高
的CMOS放大器。该TLV225x有噪音
19内华达州/ √Hz的水平在1kHz ,低于四倍
有竞争力的微解决方案。
VOH - 高电平输出电压 - V
2.5
TA = - 40°C
2
TA = 25°C
1.5
TA = 85°C
1
TA = 125°C
0.5
该TLV225x ,具有高输入阻抗
和低噪声,非常适合小信号
0
调节为高阻抗源,如
600
800
0
200
400
压电换能器。由于微的
| IOH | - 高电平输出电流 -
μ
A
功率耗散水平结合3 -V的
图1
操作中,这些装置中的手持式很好地工作
监测和遥感应用。在
此外,单个或分离电源轨到轨输出特性使得这个家庭一个伟大的选择,当
与模拟 - 数字转换器(ADC )的接口。对于高精度应用, TLV225xA家庭
可用的,并且具有850的最大输入偏置电压
μV.
该TLV2252 / 4也很适合升级到TLV2322 / 4的标准设计。他们提供了增加产量
动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集使他们能够
在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用
范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器,请参阅
TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其
小尺寸和低功耗,使它们非常适用于高密度,电池供电设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
?
达拉斯,德克萨斯州75265
áá
áá
版权
?
2001年,德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
1
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS? RAIL- TO- RAIL
超低功耗运算放大器
SLOS185C - 1997年2月 - 修订版 - 2001年3月
TLV2252可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
850
μV
μ
1500
μV
850
μV
μ
1500
μV
850
μV
1500
μV
外形?
(D)
TLV2252AID
TLV2252ID
TLV2252AQD
TLV2252QD
芯片
支架
( FK )
TLV2252AMFK
TLV2252MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLV2252AMJG
TLV2252MJG
塑料
DIP
(P)
TLV2252AIP
TLV2252IP
TSSOP ?
( PW )
TLV2252AIPWLE
陶瓷的
扁平
(U)
TLV2252AMU
TLV2252MU
- 40 ° C至125°C
- 40 ° C至125°C
- 55 ° C至125°C
?为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLV2252CDR ) 。
?的PW包仅左端录音和缠绕。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLV2254可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
850
μV
μ
1500
μV
850
μV
μ
1500
μV
850
μV
1500
μV
外形?
(D)
TLV2254AID
TLV2254ID
TLV2254AQD
TLV2254QD
芯片
支架
( FK )
TLV2254AMFK
TLV2254MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLV2254AMJ
TLV2254MJ
塑料
DIP
(N)
TLV2254AIN
TLV2254IN
TSSOP ?
( PW )
TLV2254AIPWLE
陶瓷的
扁平
(W)
TLV2254AMW
TLV2254MW
- 40 ° C至125°C
- 40 ° C至125°C
- 55 ° C至125°C
?为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLV2254CDR ) 。
?的PW包仅左端录音和缠绕。
§芯片在25 ℃条件下测定。
2
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TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS? RAIL- TO- RAIL
超低功耗运算放大器
SLOS185C - 1997年2月 - 修订版 - 2001年3月
TLV2252I , TLV2252AI
TLV2252Q , TLV2252AQ
D,P ,或PW包
( TOP VIEW )
TLV2254I , TLV2254AI , TLV2254Q , TLV2254AQ 。 。 。 e或N包装
TLV2254M , TLV2254AM 。 。 。 J或W包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 JG包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2254I , TLV2254AI 。 。 。 PW包装
( TOP VIEW )
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 ü包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC
+
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD+
2IN +
2IN -
2OUT
1
14
7
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
TLV2254M , TLV2254AM 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
DD+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
DD –
/ GND
NC
3IN+
2IN -
2OUT
NC
VDD- / GND
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
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达拉斯,德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
NC
2IN+
NC
3
SLOS185C - 1997年2月 - 修订2001年3月
TLV225x , TLV2252xA
高级LinCMOS? RAIL- TO- RAIL
超低功耗运算放大器
等效电路图(每个放大器)
VDD +
4
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模板发布日期: 94年7月11日
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
R6
C1
OUT
IN =
Q1
Q4
R5
Q13
Q15
Q17
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD - / GND
实际的设备元件数?
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLV2252
38
30
9
3
TLV2254
76
56
18
6
?包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS? RAIL- TO- RAIL
超低功耗运算放大器
SLOS185C - 1997年2月 - 修订版 - 2001年3月
在工作??自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
?
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD –
- 0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD –
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于)25 ℃(见注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃?150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下,10秒: D,N ,P和PW的包。 。 。 。 。 。 。 260℃
? , JG ,U和W包。 。 。 。 。 。 。 300℃
?超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时,输入带
下面VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
D–8
D–14
FK
J
JG
N
P
PW–8
PW–14
U
W
TA
25°C
额定功率
725毫瓦
950毫瓦
1375毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
1150毫瓦
1000毫瓦
525毫瓦
700毫瓦
700毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
5.5毫瓦/°C的
5.5毫瓦/°C的
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
494毫瓦
715毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
598毫瓦
520毫瓦
273毫瓦
364毫瓦
370毫瓦
370毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
190毫瓦
275毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
230毫瓦
200毫瓦
105毫瓦
140毫瓦
150毫瓦
150毫瓦
推荐工作条件
TLV225xI
电源电压(VDD)
(见注1 )
输入电压范围, VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
2.7
VDD }
VDD }
– 40
最大
16
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
TLV225xQ
2.7
VDD }
VDD }
– 40
最大
16
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
TLV225xM
2.7
VDD }
VDD }
– 55
最大
16
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
单位
V
V
V
°C
注1 :所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
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5
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
D
非常低的功耗。 。 。 34
μA
每通道典型值
D
共模输入电压范围
包括负轨
850
μV
马克斯在T
A
= 25°C
D
宽电源电压范围
2.7 V至8 V
D
包括宏
D
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
高电平输出电压
vs
高电平输出电流
3
VDD = 3V
VOH - 高电平输出电压 - V
2.5
TA = - 40°C
2
TA = 25°C
1.5
TA = 85°C
1
TA = 125°C
0.5
D
低输入偏移电压
描述
该TLV2252和TLV2254是双和
从四联低电压运算放大器
德州仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
只有34 TLV225x家庭消费
μA
供应
目前每通道。该微操作
使他们很好的选择对于电池供电
应用程序。该系列产品的特点完全在
3 V和5 V ,并针对低电压优化
应用程序。噪声性能已
比上一代显着提高
的CMOS放大器。该TLV225x有噪音
19内华达州/ √Hz的水平在1kHz ,低于四倍
有竞争力的微解决方案。
该TLV225x ,具有高输入阻抗
和低噪声,非常适合小信号
0
调节为高阻抗源,如
600
800
0
200
400
压电换能器。由于微的
| IOH | - 高电平输出电流 -
μ
A
功率耗散水平结合3 -V的
图1
操作中,这些装置中的手持式很好地工作
监测和遥感应用。在
此外,单个或分离电源轨到轨输出特性使得这个家庭一个伟大的选择,当
与模拟 - 数字转换器(ADC )的接口。对于高精度应用, TLV225xA家庭
可用的,并且具有850的最大输入偏置电压
μV.
该TLV2252 / 4也很适合升级到TLV2322 / 4的标准设计。他们提供了增加产量
动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集使他们能够
在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用
范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器,请参阅
TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其
小尺寸和低功耗,使它们非常适用于高密度,电池供电设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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?
1997年至2006年,德州仪器
关于产品符合MIL PRF 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
1
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
TLV2252可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
850
μV
1500
μV
850
μV
1500
μV
850
μV
1500
μV
外形?
(D)
TLV2252AID
TLV2252ID
TLV2252AQD
TLV2252QD
芯片
支架
( FK )
TLV2252AMFK
TLV2252MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLV2252AMJG
TLV2252MJG
塑料
DIP
(P)
TLV2252AIP
TLV2252IP
TSSOP ?
( PW )
TLV2252AIPWLE
陶瓷的
扁平
(U)
TLV2252AMU
TLV2252MU
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
?为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLV2252CDR ) 。
?的PW包仅左端录音和缠绕。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLV2254可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
850
μV
1500
μV
850
μV
1500
μV
850
μV
1500
μV
外形?
(D)
TLV2254AID
TLV2254ID
TLV2254AQD
TLV2254QD
芯片
支架
( FK )
TLV2254AMFK
TLV2254MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLV2254AMJ
TLV2254MJ
塑料
DIP
(N)
TLV2254AIN
TLV2254IN
TSSOP ?
( PW )
TLV2254AIPWLE
陶瓷的
扁平
(W)
TLV2254AMW
TLV2254MW
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
?为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLV2254CDR ) 。
?的PW包仅左端录音和缠绕。
§芯片在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
?
达拉斯,德克萨斯州75265
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
TLV2252I , TLV2252AI
TLV2252Q , TLV2252AQ
D,P ,或PW包
( TOP VIEW )
TLV2254I , TLV2254AI , TLV2254Q , TLV2254AQ 。 。 。 e或N包装
TLV2254M , TLV2254AM 。 。 。 J或W包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD ?
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 JG包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD ?
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD ?
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2254I , TLV2254AI 。 。 。 PW包装
( TOP VIEW )
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 ü包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC ?
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC
+
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD+
2IN +
2IN -
2OUT
1
14
7
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD ?
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
TLV2254M , TLV2254AM 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
DD+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
DD ?
/ GND
NC
3IN+
2IN -
2OUT
NC
VDD- / GND
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
邮政信箱655303
?
达拉斯,德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
NC
2IN+
NC
3
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
TLV225x , TLV2252xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
4
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
R6
C1
R5
Q4
Q13
Q15
Q17
OUT
D1
Q2
R3
R4
Q5
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD - / GND
实际的设备元件数?
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLV2252
38
30
9
3
TLV2254
76
56
18
6
?包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
等效电路图(每个放大器)
IN +
模板发布日期: 94年7月11日
IN =
邮政信箱655303
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Q1
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
在工作??自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
?
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD ?
0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD ?
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于)25 ℃(见注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃?150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下,10秒: D,N ,P和PW的包。 。 。 。 。 。 。 260℃
? , JG ,U和W包。 。 。 。 。 。 。 300℃
?超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时,输入带
下面VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
D?8
D?14
FK
J
JG
N
P
PW?8
PW?14
U
W
TA
25°C
25 C
额定功率
725毫瓦
950毫瓦
1375毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
1150毫瓦
1000毫瓦
525毫瓦
700毫瓦
700毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
5.5毫瓦/°C的
5.5毫瓦/°C的
TA = 85°C
85 C
额定功率
377毫瓦
494毫瓦
715毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
598毫瓦
520毫瓦
273毫瓦
364毫瓦
370毫瓦
370毫瓦
TA = 125°C
125 C
额定功率
145毫瓦
190毫瓦
275毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
230毫瓦
200毫瓦
105毫瓦
140毫瓦
150毫瓦
150毫瓦
推荐工作条件
TLV225xI
电源电压(VDD)
(见注1 )
输入电压范围, VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
2.7
VDD }
VDD }
?40
最大
8
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
TLV225xQ
2.7
VDD }
VDD }
?40
最大
8
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
TLV225xM
2.7
VDD }
VDD }
?55
最大
8
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
单位
V
V
V
°C
注1 :所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
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5
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
D
非常低的功耗。 。 。 34
μA
每通道典型值
D
共模输入电压范围
包括负轨
850
μV
马克斯在T
A
= 25°C
D
宽电源电压范围
2.7 V至8 V
D
包括宏
D
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
高电平输出电压
vs
高电平输出电流
3
VDD = 3V
VOH - 高电平输出电压 - V
2.5
TA = - 40°C
2
TA = 25°C
1.5
TA = 85°C
1
TA = 125°C
0.5
D
低输入偏移电压
描述
该TLV2252和TLV2254是双和
从四联低电压运算放大器
德州仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
只有34 TLV225x家庭消费
μA
供应
目前每通道。该微操作
使他们很好的选择对于电池供电
应用程序。该系列产品的特点完全在
3 V和5 V ,并针对低电压优化
应用程序。噪声性能已
比上一代显着提高
的CMOS放大器。该TLV225x有噪音
19内华达州/ √Hz的水平在1kHz ,低于四倍
有竞争力的微解决方案。
该TLV225x ,具有高输入阻抗
和低噪声,非常适合小信号
0
调节为高阻抗源,如
600
800
0
200
400
压电换能器。由于微的
| IOH | - 高电平输出电流 -
μ
A
功率耗散水平结合3 -V的
图1
操作中,这些装置中的手持式很好地工作
监测和遥感应用。在
此外,单个或分离电源轨到轨输出特性使得这个家庭一个伟大的选择,当
与模拟 - 数字转换器(ADC )的接口。对于高精度应用, TLV225xA家庭
可用的,并且具有850的最大输入偏置电压
μV.
该TLV2252 / 4也很适合升级到TLV2322 / 4的标准设计。他们提供了增加产量
动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集使他们能够
在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用
范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器,请参阅
TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其
小尺寸和低功耗,使它们非常适用于高密度,电池供电设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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áá
áá
版权
?
1997年至2006年,德州仪器
关于产品符合MIL PRF 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
1
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
TLV2252可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
850
μV
1500
μV
850
μV
1500
μV
850
μV
1500
μV
外形?
(D)
TLV2252AID
TLV2252ID
TLV2252AQD
TLV2252QD
芯片
支架
( FK )
TLV2252AMFK
TLV2252MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLV2252AMJG
TLV2252MJG
塑料
DIP
(P)
TLV2252AIP
TLV2252IP
TSSOP ?
( PW )
TLV2252AIPWLE
陶瓷的
扁平
(U)
TLV2252AMU
TLV2252MU
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
?为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLV2252CDR ) 。
?的PW包仅左端录音和缠绕。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLV2254可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
850
μV
1500
μV
850
μV
1500
μV
850
μV
1500
μV
外形?
(D)
TLV2254AID
TLV2254ID
TLV2254AQD
TLV2254QD
芯片
支架
( FK )
TLV2254AMFK
TLV2254MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLV2254AMJ
TLV2254MJ
塑料
DIP
(N)
TLV2254AIN
TLV2254IN
TSSOP ?
( PW )
TLV2254AIPWLE
陶瓷的
扁平
(W)
TLV2254AMW
TLV2254MW
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
?为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLV2254CDR ) 。
?的PW包仅左端录音和缠绕。
§芯片在25 ℃条件下测定。
2
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TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
TLV2252I , TLV2252AI
TLV2252Q , TLV2252AQ
D,P ,或PW包
( TOP VIEW )
TLV2254I , TLV2254AI , TLV2254Q , TLV2254AQ 。 。 。 e或N包装
TLV2254M , TLV2254AM 。 。 。 J或W包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD ?
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 JG包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD ?
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD ?
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2254I , TLV2254AI 。 。 。 PW包装
( TOP VIEW )
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 ü包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC ?
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC
+
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD+
2IN +
2IN -
2OUT
1
14
7
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD ?
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TLV2252M , TLV2252AM 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
TLV2254M , TLV2254AM 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
DD+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
DD ?
/ GND
NC
3IN+
2IN -
2OUT
NC
VDD- / GND
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
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NC
3OUT
3英寸 -
NC
2IN+
NC
3
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
TLV225x , TLV2252xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
4
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
R6
C1
R5
Q4
Q13
Q15
Q17
OUT
D1
Q2
R3
R4
Q5
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD - / GND
实际的设备元件数?
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLV2252
38
30
9
3
TLV2254
76
56
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6
?包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
等效电路图(每个放大器)
IN +
模板发布日期: 94年7月11日
IN =
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Q1
TLV225x , TLV225xA
高级LinCMOS?轨至轨
非常低的功率运算放大器
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
在工作??自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
?
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD ?
0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD ?
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于)25 ℃(见注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃?150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下,10秒: D,N ,P和PW的包。 。 。 。 。 。 。 260℃
? , JG ,U和W包。 。 。 。 。 。 。 300℃
?超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时,输入带
下面VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
D?8
D?14
FK
J
JG
N
P
PW?8
PW?14
U
W
TA
25°C
25 C
额定功率
725毫瓦
950毫瓦
1375毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
1150毫瓦
1000毫瓦
525毫瓦
700毫瓦
700毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
5.5毫瓦/°C的
5.5毫瓦/°C的
TA = 85°C
85 C
额定功率
377毫瓦
494毫瓦
715毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
598毫瓦
520毫瓦
273毫瓦
364毫瓦
370毫瓦
370毫瓦
TA = 125°C
125 C
额定功率
145毫瓦
190毫瓦
275毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
230毫瓦
200毫瓦
105毫瓦
140毫瓦
150毫瓦
150毫瓦
推荐工作条件
TLV225xI
电源电压(VDD)
(见注1 )
输入电压范围, VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
2.7
VDD }
VDD }
?40
最大
8
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
TLV225xQ
2.7
VDD }
VDD }
?40
最大
8
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
TLV225xM
2.7
VDD }
VDD }
?55
最大
8
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
单位
V
V
V
°C
注1 :所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
邮政信箱655303
?
达拉斯,德克萨斯州75265
5
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