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阻抗测量电路2019/8/1 20:13:08
阻抗测量电路阻抗测量电路如图4.7.5所示,图中A2与其外围元件一起组成阻抗-电压转换器。A1与其外围元件一起组成π/2移相器。A3和A4与其外围元件组成乘法器,用以分离阻抗的虚、...[全文]
?PLC与PC通信的方法实现2019/6/13 20:24:55
PLC与PC通信的方法实现PC与PLC通信时,为了避免通信中的各方争用通信线,一般采用主从工作方式,只有主机才有权主动发迸请求报文,从机收到请求报文后返回响应报文。具体实现方法如下...[全文]
同步通信和异步通信2019/6/10 21:40:03
同步通信和异步通信串行通信按信、K4X51163PG-FGC6患传送格式分为同步通信和异步通信。在串行通信中发送端与接收端之问的同步问题是数据通信中的一个重要问题。同步不好,轻者导...[全文]
存储器单元2019/6/2 17:15:27
存储器单元PLC的存储器单元分为两个部分:系统程序存储器和用户程序存储器。N80C196KB121系统程序存储器系统程序存储器用于存放PLC生产厂家编写...[全文]
DPA主要试验项目的作用?2019/5/27 20:06:51
DPA主要试验项目的作用进行D趴的目的是验证电子元器件能否满足预定使用要求。根据DPA的结果促使元器件的生产厂改进工艺和加强质量控制,让使用者最终能得到满足使用要求的...[全文]
一般金属层2019/5/23 20:52:21
一般金属层表现出任何一种金属化层附着不良均应拒收。任一种缺陷(见图4-136和图4-138),如空洞、裂纹、分隔、凹陷、凹槽、隧道或这些缺陷的组合,GAL16LV8C...[全文]
用半自动研磨机和相应粒度的磨料代替手工研磨2019/5/22 21:46:39
用半自动研磨机和相应粒度的磨料代替手工研磨,研磨效果会更好。P0320AL对于内部具有空腔的元器件(如固体电解质钽电容器、低通馈通滤波器和某些金属壳封装的工极管等),在磨开空腔之后,应及时对空腔...[全文]
GJB4152规定的金相剖面法2019/5/21 21:55:56
样品制各GJB4152规定的金相剖面法,主要包括制样前的准备(如外部目检、去包封、清洗、内部目检等)、镶样(固定、浇铸、固化)、磨光(研磨、抛光、漂洗)等。D135211B1...[全文]
电阻网络的开封如下2019/5/20 21:31:01
电阻网络的开封如下:(1)盖板锡焊密封结构。LM317SX/NOPB用刻刀刀尖沿焊缝周边刮切盖板下面的焊料,直到刮出的间隙能插入手术刀片为止,然后在盖板的一角小心插入...[全文]
螺旋测微器是依据螺旋放大的原理制成的2019/5/19 17:36:32
螺旋测微器螺旋测微器是依据螺旋放大的原理制成的,即螺杆在螺母中旋转一周,螺杆便沿着旋转轴线方向前进或后退一个螺距的距离,如图午50所示。M12L128168A-6TG2L所以,沿轴...[全文]
元器件按种类分为元件和器件两种2019/5/17 21:49:33
元器件按种类分为元件和器件两种,两类的耐溶剂试验方法基本一致,且修改后的GJB3ωB与GJB548、GJB128使用了相同的清洗剂。1.材料l)清洗剂溶液EL2044...[全文]
制定试验方案2019/5/15 20:13:18
制定试验方案GJB7242一2011和GAL16LV8D-5LJ只是进行单粒子试验的通用要求,不可能包含所有器件的所有试验要求,而且不同类型器件的单粒子效应不同,GAL16LV8D...[全文]
偏置条件的确定2019/5/14 20:48:59
偏置条件的确定总剂蚩辐照过程屮器件的偏置条件是影响器件总剂量辐照损伤关键因素之一。器件的偏置条件决定了氧化:中的电场的强度和方向,氧化层中的电场的强度和方向影响着辐射...[全文]
空间低剂量率辐射环境2019/5/14 20:38:04
空间低剂量率辐射环境在地面上对半导体器件进行总剂量试验的最终目的是为了得到半导体器件在空间辐射环境中的抗辐射能力。囚此,有必要详细了解空间辐射环境。M24C02-WMN6TP空问辐...[全文]
空间低剂量率辐射环境2019/5/14 20:37:52
空间低剂量率辐射环境在地面上对半导体器件进行总剂量试验的最终目的是为了得到半导体器件在空间辐射环境中的抗辐射能力。囚此,有必要详细了解空间辐射环境。M24C02-WMN6TP空问辐...[全文]
电离总剂量基本单位2019/5/14 20:26:37
电离总剂量基本单位l)总剂量(吸收剂量)总剂量(吸收剂量)定义为单位质量材料所吸收的任何电离辐射的平均能童,也称为吸收剂量。M24256-BWMN6TP吸收剂量的sI...[全文]
电离总剂量辐射效应2019/5/13 21:42:24
电离总剂量辐射效应电离总剂量辐射效应是指电离辐射的累积导致器件的参数发生退化的现象。IC61LV5128-15T半导体器件主要分为MOS器件、双极器件两类。对于MOS器件,无论是硅...[全文]
温度测量技术2019/5/13 21:28:52
温度测量技术热真空试验舱内的温度,特别是试件上有关部件的温度分布,是热平衡与热真空试验中必须准确测量的重要参数之一,它直接影响试验结果的可信度,是试验成败的关键。IC42S1640...[全文]
测控系统的功能如下2019/5/13 21:11:25
(1)测控系统的功能如下:●按试验条件耍求调节加热功率,实现试IC42S16100E-6TL件表面温度的控制;●测量试验室内的真空度和试件表面温度;●控...[全文]
热真空试验设备2019/5/13 21:09:30
热真空试验设备热真空试验设备主要由真帘容器、真空抽IC41LV16105S-50KG气系统及测控系统等细成。l)真空容器小型热真空试验设备的真空容器直径...[全文]
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